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完全不同于ASML!中國成功研發(fā)全新DUV光刻

2025-03-26 16:37:06來源:智能制造網(wǎng) 關(guān)鍵詞:DUV光刻全固態(tài)DUV光源技術(shù)半導體工藝閱讀量:26074

導讀:中國科學院研發(fā)的全固態(tài)DUV光源采用固態(tài)激光晶體(如非線性光學晶體)結(jié)合倍頻技術(shù),將紅外激光轉(zhuǎn)換為紫外光。相比傳統(tǒng)光源,全固態(tài)光源具有體積小、效率高、壽命長、可控性好等特點,更適合工業(yè)化和精密應用。
  據(jù)國際光電工程學會(SPIE)消息,近日中國科學院研究人員成功研發(fā)突破性的固態(tài)深紫外(DUV)激光,能發(fā)射193nm的相干光,與目前主流的DUV曝光波長一致,能將半導體工藝推進至3nm。值得注意的是,該波長目前被用于半導體曝光技術(shù)!
 
  中國科學院成功的研發(fā)全固態(tài)DUV光源技術(shù)是中國在高端光學和半導體領(lǐng)域的一項重要突破,具有重要的科學意義和產(chǎn)業(yè)價值。以下是對這一進展的詳細分析:
 
  一、技術(shù)背景與核心突破
 
  ?DUV光源的定義:深紫外光(DUV)波長范圍通常在100-200納米,傳統(tǒng)DUV光源多依賴氣體放電燈(如準分子激光器),但存在體積大、能耗高、穩(wěn)定性差等缺陷。
 
  ?全固態(tài)化的優(yōu)勢:中國科學院研發(fā)的全固態(tài)DUV光源采用固態(tài)激光晶體(如非線性光學晶體)結(jié)合倍頻技術(shù),將紅外激光轉(zhuǎn)換為紫外光。相比傳統(tǒng)光源,全固態(tài)光源具有體積小、效率高、壽命長、可控性好等特點,更適合工業(yè)化和精密應用。
 
  ?二、技術(shù)難點與創(chuàng)新點
 
  與目前主流的DUV光刻機采用的氟化氬(ArF)準分子激光技術(shù)相比,中國科學院的全固態(tài)DUV激光技術(shù)具有明顯優(yōu)勢。
 
  ?材料突破:研發(fā)團隊可能攻克了高損傷閾值、高非線性轉(zhuǎn)換效率的激光晶體材料(如KBBF、CLBO等),解決了DUV波段倍頻過程中的光學損耗和熱管理問題。
 
  ?系統(tǒng)集成:通過優(yōu)化諧振腔設(shè)計和激光脈沖控制技術(shù),實現(xiàn)了高功率、窄線寬的DUV輸出,滿足精密光刻或科研需求。
 
  ?國產(chǎn)化替代:此前國內(nèi)DUV光源依賴進口(如日本Gigaphoton或美國Coherent),全固態(tài)技術(shù)的突破為國產(chǎn)光刻機核心部件提供了自主可控的解決方案。
 
  ?三、應用領(lǐng)域與產(chǎn)業(yè)意義
 
  ?半導體光刻:DUV光刻是制造28nm及以上制程芯片的關(guān)鍵設(shè)備(如ASML的DUV光刻機)。全固態(tài)光源的研發(fā)雖不等同于EUV(極紫外)光刻突破,但可為國內(nèi)成熟制程芯片生產(chǎn)提供穩(wěn)定光源,緩解供應鏈“卡脖子”問題。
 
  ?其他領(lǐng)域:
 
  ?殺菌消毒:DUV波段對微生物DNA/RNA有強破壞作用,可應用于醫(yī)療或水處理;
 
  ?激光加工:用于精密微納加工(如MEMS器件、光伏電池);
 
  ?科研儀器:支撐前沿物理實驗或新材料研發(fā)。
 
  四、對國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)的戰(zhàn)略價值
 
  ?突破封鎖:在ASML無法對華出口EUV光刻機、美國限制DUV設(shè)備的情況下,全固態(tài)DUV光源技術(shù)為國內(nèi)光刻機研發(fā)提供了關(guān)鍵技術(shù)支持,助力實現(xiàn)“去美化”供應鏈。
 
  ?產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同:該技術(shù)與國內(nèi)激光晶體、光學鍍膜、精密加工等產(chǎn)業(yè)形成聯(lián)動,推動國產(chǎn)高端裝備自主化進程。
 
  ?五、挑戰(zhàn)與未來展望
 
  ?技術(shù)迭代:需進一步提升光源功率和穩(wěn)定性,以滿足更先進制程(如7nm以下)的需求。
 
  ?配套生態(tài):光刻機是系統(tǒng)工程,需整合光源、物鏡、控制系統(tǒng)等核心技術(shù),中國科學院與上海微電子等企業(yè)的協(xié)同至關(guān)重要。
 
  ?國際競爭:日本、美國在DUV光源領(lǐng)域仍有技術(shù)積累,需加快產(chǎn)業(yè)化落地以搶占市場。
 
  六、?總結(jié)
 
  中國科學院全固態(tài)DUV光源技術(shù)的突破,標志著中國在高端光學器件領(lǐng)域邁出關(guān)鍵一步,短期內(nèi)可支撐成熟制程芯片制造,長期則為EUV光源研發(fā)積累經(jīng)驗。
 
  這一成果不僅為半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供了新的可能性,與此同時還增強了國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)鏈的安全性,也為全球光電子技術(shù)發(fā)展提供了新思路。未來需持續(xù)投入研發(fā),加速技術(shù)轉(zhuǎn)化,推動國產(chǎn)光刻機從“可用”向“好用”邁進。
 
  以上內(nèi)容由Kimi、元寶生成,智能制造網(wǎng)整合。在任何情況下,本文中的信息或表述的意見,均不構(gòu)成對任何人的投資建議。
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