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無需EUV光刻機 鎧俠開發(fā)NIL半導體工藝:直奔5nm

2021-10-22 09:11:45來源:快科技 關(guān)鍵詞:半導體工藝半導體設備閱讀量:22929

導讀:據(jù)據(jù)日媒報導,鎧俠從2017年開始與半導體設備廠佳能,以及光罩、模板等半導體零組件制造商DNP合作,在日本三重縣四日市的鎧俠工廠內(nèi)研發(fā)納米壓印微影技術(shù)(NIL)的量產(chǎn)技術(shù),鎧俠已掌握15nm量產(chǎn)技術(shù),目前正在進行15nm以下技術(shù)研發(fā),預計2025年達成。
  在半導體工藝進入10nm節(jié)點之后,EUV工藝是少不了的,但是EUV光刻機價格高達10億一臺,而且產(chǎn)量有限,導致芯片生產(chǎn)成本很高。日本鎧俠公司現(xiàn)在聯(lián)合伙伴開發(fā)了新的工藝,可以不使用EUV光刻機,工藝直達5nm。
 
  據(jù)據(jù)日媒報導,鎧俠從2017年開始與半導體設備廠佳能,以及光罩、模板等半導體零組件制造商DNP合作,在日本三重縣四日市的鎧俠工廠內(nèi)研發(fā)納米壓印微影技術(shù)(NIL)的量產(chǎn)技術(shù),鎧俠已掌握15nm量產(chǎn)技術(shù),目前正在進行15nm以下技術(shù)研發(fā),預計2025年達成。
 
  與目前已實用化的極紫外光(EUV)半導體制程細微化技術(shù)相比,NIL更加減少耗能且大幅降低設備成本。
 
  因NIL的微影制程較單純,耗電量可壓低至EUV生產(chǎn)方式的10%,并讓設備投資降低至40%。
 
  而EUV設備由ASML獨家生產(chǎn)供應,不但價格高,且需要許多檢測設備配合。
 
  目前NIL在量產(chǎn)上仍有不少問題有待解決,包括更容易因細微塵埃而形成瑕疵等問題。
 
  如果鎧俠能成功率先引進NIL量產(chǎn)技術(shù),可望彌補在設備投資競賽中的不利局面,又能符合減少碳排放的需求。
 
  對鎧俠來說,NAND組件采取3D堆疊立體結(jié)構(gòu),更容易因應NIL技術(shù)的微影制程。
 
  鎧俠表示,已解決NIL的基本技術(shù)問題,正在完善量產(chǎn)技術(shù),希望能率先引入NAND生產(chǎn)。
 
  根據(jù)DNP說法,NIL技術(shù)電路精細程度可達5nm,DNP從2021年春起,根據(jù)設備的規(guī)格值進行內(nèi)部仿真。
 
  DNP透露,從半導體制造商詢問增加,顯示不少廠商對NIL技術(shù)寄予厚望。
 
  而佳能則致力于將NIL技術(shù)廣泛應用于制作DRAM及PC用CPU等邏輯IC的設備,供應多種類型的半導體制造商,將來也希望能應用于手機應用處理器等最先進制程。
 
  (原標題:無需EUV光刻機 鎧俠開發(fā)NIL半導體工藝:直奔5nm)
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