英飛凌2單元FF300R06KE3  IGBT模塊
型號(hào)：FF300R06KE3
電流：300A
電壓：600V 
單元：2  
FF300R06KE3 是英飛凌2單元、300A、600V的KE3系列IGBT模塊。KE3系列IGBT具有低飽和壓降的特點(diǎn)。西門子 電力半導(dǎo)體器件廣泛應(yīng)用于發(fā)電、輸配電、電氣傳動(dòng)、牽引、電力系統(tǒng)，家用電器、新能源、汽車電子等電力電子設(shè)備中。
    IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是大規(guī)模功率集成半導(dǎo)體開關(guān)器件。IGBT采用MOS柵輸入結(jié)構(gòu)，開關(guān)主體是雙極晶體管，它兼有MOSFET的高輸入阻抗、電壓控制特點(diǎn)，又具有雙極晶體管低飽和壓降的優(yōu)勢(shì)；其zui顯著特點(diǎn)是高速、高壓、大電流。功率開關(guān)在功率變換電路里處于核心地位，IGBT是當(dāng)代功率開關(guān)的主流器件。功率半導(dǎo)體器件一直是西門子/Infineon的核心產(chǎn)品，西門子在推出新型NPT-IGBT芯片，具有高可靠、低成本的*性能價(jià)格比。西門子可提供電流從6A到3600A；電壓從600V、1200V、1700V、2500V、3300V、到6500V全系列各種封裝形式的IGBT模塊。頻率特性高頻差好好續(xù)表應(yīng)用多級(jí)放大器中間級(jí),低頻放大輸入級(jí)、輸出級(jí)或作阻抗匹配用高頻或?qū)掝l帶電路及恒流源
Infineon IGBT采用NPT-IGBT工藝，600V“HS”系列硬開關(guān)頻率高達(dá)100KHz， 1200V“SKW”系列硬開關(guān)頻率可達(dá)40KHz。
   Infineon第三代IGBT，采用溝槽柵+電場(chǎng)終止層（Fieldstop）技術(shù)，具有較低的飽和壓降，低達(dá)1.50V 。Infineon IGBT溫升低，有較大的血崩耐量。