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在進(jìn)行電路設(shè)計(jì)時(shí),應(yīng)針對(duì)影響IGBT可靠性的因素,有的放矢地采取相應(yīng)的保護(hù)措施。
1.IGBT柵極的保護(hù)
2.集電極與發(fā)射極間的過(guò)壓保護(hù)
過(guò)電壓的產(chǎn)生主要有兩種情況,一種是施加到IGBT集電極-發(fā)射極間的直流電壓過(guò)高,另一種為集電極-發(fā)射極上的浪涌電壓過(guò)高。
(1)直流過(guò)電壓
直流過(guò)壓產(chǎn)生的原因是由于輸入交流電源或IGBT的前一級(jí)輸入發(fā)生異常所致。解決的辦法是在選取IGBT時(shí),進(jìn)行降額設(shè)計(jì);另外,可在檢測(cè)出這一過(guò)壓時(shí)分?jǐn)郔GBT的輸入,保證IGBT的安全。
(2)浪涌電壓的保護(hù)
因?yàn)殡娐分蟹植茧姼械拇嬖冢又甀GBT的開(kāi)關(guān)速度較高,當(dāng)IGBT關(guān)斷時(shí)及與之并接的反向恢復(fù)二極管逆向恢復(fù)時(shí),就會(huì)產(chǎn)生很大的浪涌電壓Ldi/dt,威脅IGBT的安全。
3.集電極電流過(guò)流保護(hù)
對(duì)IGBT的過(guò)流保護(hù),主要有3種方法。
(1)用電阻或電流互感器檢測(cè)過(guò)流進(jìn)行保護(hù)
(2)由IGBT的VCE(sat)檢測(cè)過(guò)流進(jìn)行保護(hù)
(3)檢測(cè)負(fù)載電流進(jìn)行保護(hù)
(4)過(guò)熱保護(hù)
一般情況下流過(guò)IGBT的電流較大,開(kāi)關(guān)頻率較高,故而器件的損耗也比較大,如果熱量不能及時(shí)散掉,使得器件的結(jié)溫Tj超過(guò)Tjmax,則IGBT可能損壞。
IGBT的功耗包括穩(wěn)態(tài)功耗和動(dòng)態(tài)動(dòng)耗,其動(dòng)態(tài)功耗又包括開(kāi)通功耗和關(guān)斷功耗。在進(jìn)行熱設(shè)計(jì)時(shí),不僅要保證其在正常工作時(shí)能夠充分散熱,而且還要保證其在發(fā)生短時(shí)過(guò)載時(shí),IGBT的結(jié)溫也不超過(guò)Tjmax。
當(dāng)然,受設(shè)備的體積和重量等的限制以及性價(jià)比的考慮,散熱系統(tǒng)也不可能無(wú)限制地?cái)U(kuò)大。可在靠近IGBT處加裝一溫度繼電器等,檢測(cè)IGBT的工作溫度。控制執(zhí)行機(jī)構(gòu)在發(fā)生異常時(shí)切斷IGBT的輸入,保護(hù)其安全。
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