摘要：意法半導(dǎo)體（ST）推出全新M系列1200VIGBT，以*的溝柵式場(chǎng)截止技術(shù)(trench-gatefield-stop)為特色，有效提升太陽(yáng)能逆變器(solarinverters)、電焊機(jī)(weldingequipment)、不間斷電源(uninterruptible power supplies)與工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等多項(xiàng)目標(biāo)應(yīng)用的能效和可靠性。
　　
　　高度優(yōu)化的導(dǎo)通性和關(guān)斷性以及低導(dǎo)通損耗(lowturn-onloss)，讓全新的改進(jìn)型IGBT特別適用于執(zhí)行工作頻率高達(dá)20kHz的硬開關(guān)電路(hard-switchingcircuit)；zui高工作溫度提高至175°C，寬安全工作范圍(SOA,safeoperatingarea)無(wú)閉鎖效應(yīng)(latch-upfree)，150°C時(shí)的短路耐受時(shí)間(short-circuitwithstandtime)為10µs，這些特性確保新產(chǎn)品在惡劣的外部電氣環(huán)境中具有更高的可靠性。
　　
　　新產(chǎn)品所用的第三代技術(shù)包括新的*的溝柵結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和優(yōu)化的高壓IGBT架構(gòu)，可以zui大限度地降低電壓過(guò)沖(voltageovershoot)，消除關(guān)斷期間出現(xiàn)的振蕩現(xiàn)象(oscillation)，有效降低電能損耗，簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)。與此同時(shí)，低飽和電壓(Vce(sat))可確保新產(chǎn)品具有很高的導(dǎo)通能效。正溫度系數(shù)和窄飽和電壓范圍可簡(jiǎn)化新產(chǎn)品并聯(lián)設(shè)計(jì)，有助于提高功率處理能力。
　　
　　新產(chǎn)品還受益于提升的導(dǎo)通能效。此外，新產(chǎn)品與IGBT反向并聯(lián)(anti-parallel)的新一代二極管一同封裝，具有快速的恢復(fù)時(shí)間和增強(qiáng)的恢復(fù)軟度特性，且導(dǎo)通損耗沒(méi)有明顯上升，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)更出色的EMI性能表現(xiàn)。
　　
　　40ASTGW40M120DF3、2STGW25M120DF3和1STGW15M120DF3三款產(chǎn)品采用標(biāo)準(zhǔn)的TO-247封裝，STGWA40M120DF3、STGWA25M120DF3和STGWA15M120DF3三款產(chǎn)品采用TO-247長(zhǎng)引腳封裝，目前均已開始量產(chǎn)。