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摘要:昨日,德州儀器(TI)宣布推出其綜合的超低功耗FRAM微控制器(MCU)平臺。該平臺配備了所有必要的硬件和軟件工具,支持開發(fā)人員降低能源預算,zui大限度地縮減產(chǎn)品尺寸并致力于實現(xiàn)無電池的世界。
TI全新MSP430FR59x/69xFRAMMCU產(chǎn)品系列集成了涵蓋32KB至128KB嵌入式FRAM的EnergyTrace++™實時功耗分析器和調(diào)試器。這些MSP430™MCU非常適用于智能計量儀表、可佩戴式電子產(chǎn)品、工業(yè)和遠程傳感器、能量收集裝置、家庭自動化設備、數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)以及更多需要超低功耗、靈活內(nèi)存選擇和智能模擬集成的應用。
采用嵌入式FRAM的TI創(chuàng)新型超低漏電(ULL)專有技術可在-40至85攝氏度的整個溫度范圍內(nèi)提供zui低的系統(tǒng)功耗【運行功耗為100μA/MHz,實時時鐘(RTC)待機功耗為450nA】和業(yè)界的功率性能。全新的FRAMMCU包括各種智能模擬外設,如在轉換速率為200ksps時耗電流低至140μA的差分輸入模數(shù)轉換器(ADC)以及可在系統(tǒng)處于待機狀態(tài)時運行的增強型流量計量掃描接口,從而使功耗降低10倍。此外,集成式8-muxLCD顯示器和256位加密標準(AES)加速器也可降低功耗,縮減材料清單成本并節(jié)省電路板空間。
采用EnergyTrace++技術實時調(diào)試能量
TI的新型EnergyTrace++技術是*個能使開發(fā)人員為每個外設實時分析功耗(電流分辨率低至5nA)的調(diào)試系統(tǒng)。這使工程師能控制自己的功耗預算并優(yōu)化軟件,竭盡所能創(chuàng)造出能耗zui低的產(chǎn)品。這項新技術現(xiàn)在可用于MSP430FR59x和MSP430FR69xMCU產(chǎn)品系列,并配備全新的低成本MSP430FR5969LaunchPad開發(fā)套件。
借助FRAM的*功能挑戰(zhàn)超低功耗
除具有顯著的節(jié)電優(yōu)勢外,TI的MSP430FR59x/69xFRAMMCU產(chǎn)品系列還具有以下的特性,超出了開發(fā)人員的預期:
·無限的可擦寫次數(shù)。*的讀取/寫入速度意味著FRAMMCU比傳統(tǒng)非易失性存儲器解決方案的擦寫循環(huán)次數(shù)多100億次以上—擦寫周期超過了產(chǎn)品生命周期本身。
·靈活性。FRAM具有*能力,使開發(fā)人員擺脫代碼和數(shù)據(jù)存儲器之間的傳統(tǒng)界限束縛。用戶無需再受限于業(yè)界標準閃存與RAM的比率或為增加的RAM需求支付額外費用。
·易用性。FRAM可簡化代碼開發(fā)。由于FRAM無需預先擦除段,并可基于比特級被存取,使恒定的即時數(shù)據(jù)記錄成為可能。無線固件更新復雜程度降低,速度加快且能耗減少。
TI超低功耗FRAMMCU產(chǎn)品組合的特性與優(yōu)勢
·FRAM是*的非易失性嵌入式存儲器,可在電流低于800μA的情況下以8Mbps的速率被寫入—比閃存快100倍以上。
·借助引腳對引腳兼容性和可擴展的產(chǎn)品組合(由TI超低功耗MSP430™MCUFRAM產(chǎn)品平臺內(nèi)32KB至128KB的器件組成),使開發(fā)工作變得更輕松。
·借助MSP430FRAM和閃存組合之間的代碼和外設兼容性,利用MSP430Ware™來簡化遷移。
·可取代EEPROM,旨在設計出寫入速度更快、功耗更低且內(nèi)存可靠性更高的安全產(chǎn)品。
·256位的AES加速器使TI的FRAMMCU能確保數(shù)據(jù)傳輸。
·適合開發(fā)人員使用的豐富資源包括詳細的遷移指南和應用手冊,以簡化從現(xiàn)有硅芯片到MSP430FR59x/69xMCU的遷移。
TI全新MSP430FR59x/69xFRAMMCU產(chǎn)品系列集成了涵蓋32KB至128KB嵌入式FRAM的EnergyTrace++™實時功耗分析器和調(diào)試器。這些MSP430™MCU非常適用于智能計量儀表、可佩戴式電子產(chǎn)品、工業(yè)和遠程傳感器、能量收集裝置、家庭自動化設備、數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)以及更多需要超低功耗、靈活內(nèi)存選擇和智能模擬集成的應用。
采用嵌入式FRAM的TI創(chuàng)新型超低漏電(ULL)專有技術可在-40至85攝氏度的整個溫度范圍內(nèi)提供zui低的系統(tǒng)功耗【運行功耗為100μA/MHz,實時時鐘(RTC)待機功耗為450nA】和業(yè)界的功率性能。全新的FRAMMCU包括各種智能模擬外設,如在轉換速率為200ksps時耗電流低至140μA的差分輸入模數(shù)轉換器(ADC)以及可在系統(tǒng)處于待機狀態(tài)時運行的增強型流量計量掃描接口,從而使功耗降低10倍。此外,集成式8-muxLCD顯示器和256位加密標準(AES)加速器也可降低功耗,縮減材料清單成本并節(jié)省電路板空間。
采用EnergyTrace++技術實時調(diào)試能量
TI的新型EnergyTrace++技術是*個能使開發(fā)人員為每個外設實時分析功耗(電流分辨率低至5nA)的調(diào)試系統(tǒng)。這使工程師能控制自己的功耗預算并優(yōu)化軟件,竭盡所能創(chuàng)造出能耗zui低的產(chǎn)品。這項新技術現(xiàn)在可用于MSP430FR59x和MSP430FR69xMCU產(chǎn)品系列,并配備全新的低成本MSP430FR5969LaunchPad開發(fā)套件。
借助FRAM的*功能挑戰(zhàn)超低功耗
除具有顯著的節(jié)電優(yōu)勢外,TI的MSP430FR59x/69xFRAMMCU產(chǎn)品系列還具有以下的特性,超出了開發(fā)人員的預期:
·無限的可擦寫次數(shù)。*的讀取/寫入速度意味著FRAMMCU比傳統(tǒng)非易失性存儲器解決方案的擦寫循環(huán)次數(shù)多100億次以上—擦寫周期超過了產(chǎn)品生命周期本身。
·靈活性。FRAM具有*能力,使開發(fā)人員擺脫代碼和數(shù)據(jù)存儲器之間的傳統(tǒng)界限束縛。用戶無需再受限于業(yè)界標準閃存與RAM的比率或為增加的RAM需求支付額外費用。
·易用性。FRAM可簡化代碼開發(fā)。由于FRAM無需預先擦除段,并可基于比特級被存取,使恒定的即時數(shù)據(jù)記錄成為可能。無線固件更新復雜程度降低,速度加快且能耗減少。
TI超低功耗FRAMMCU產(chǎn)品組合的特性與優(yōu)勢
·FRAM是*的非易失性嵌入式存儲器,可在電流低于800μA的情況下以8Mbps的速率被寫入—比閃存快100倍以上。
·借助引腳對引腳兼容性和可擴展的產(chǎn)品組合(由TI超低功耗MSP430™MCUFRAM產(chǎn)品平臺內(nèi)32KB至128KB的器件組成),使開發(fā)工作變得更輕松。
·借助MSP430FRAM和閃存組合之間的代碼和外設兼容性,利用MSP430Ware™來簡化遷移。
·可取代EEPROM,旨在設計出寫入速度更快、功耗更低且內(nèi)存可靠性更高的安全產(chǎn)品。
·256位的AES加速器使TI的FRAMMCU能確保數(shù)據(jù)傳輸。
·適合開發(fā)人員使用的豐富資源包括詳細的遷移指南和應用手冊,以簡化從現(xiàn)有硅芯片到MSP430FR59x/69xMCU的遷移。
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