工控摘要：近日，英飛凌科技股份公司推出200V和250VOptiMOSTMFD，進一步完善了中壓產品組合。作為針對體二極管硬式整流進行優化的一代功率MOSFET，這些器件更加可靠耐用，具有更低的過沖電壓和更低的反向恢復損耗，有助于實現zui可靠的系統。
　　
　　提高可靠性，同時節省成本
　　
　　OptiMOSFD家族具備針對zui高性能標準而優化的反向恢復電荷(Qrr)。相比標準的200V和250VOptiMOS，200V和250VOptiMOSFD的Qrr降低了40%。這意味著通過降低過沖電壓大幅提升了系統可靠性，從而zui大限度地減少了對緩沖電路的需求。
　　
　　英飛凌科技系統業務部門直流/直流業務主管RichardKuncic表示：“英飛凌再一次突破了200V和250V電壓級產品的極限。設立新的基準是我們不懈奮進的動力。OptiMOSFD家族秉承了我們充分利用開關性能的成功之道。這個一代功率MOSFET能為我們的客戶節省工程設計費用，減輕設計工作量，特別是在硬開關應用中。”
　　
　　簡單又
　　
　　相比當前市場上現有的200V和250V產品，全新OptiMOSFD改善了硬換向耐用性，從而可以在更為苛刻的條件下使用，如更高dv/dt、di/dt和電流密度。這樣一來，其使用非常簡便，簡化了設計流程。
　　
　　此外，相比于可替代的器件，OptiMOSFD的導通電阻(RDS(on))zui多可降低45%，FOM(QgxRdson)zui多可降低65%，從而可以實現zui高的效率和功率密度。