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武漢普賽斯儀表有限公司
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SMU數(shù)字源表搭建晶圓級(jí)微電子材料器件測(cè)試系統(tǒng)2024/12/24
在半導(dǎo)體材料和器件的研究中，電性能測(cè)試是不可少的環(huán)節(jié)。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的提升，微電子工藝逐漸復(fù)雜，如何對(duì)微電子材料器件進(jìn)行高效率測(cè)試成為業(yè)內(nèi)關(guān)注的重點(diǎn)。普賽斯儀表陸續(xù)推出多型號(hào)國(guó)產(chǎn)化數(shù)字源表SMU，為進(jìn)...
SiC GaN三代半功率器件測(cè)試挑戰(zhàn)及應(yīng)對(duì)測(cè)試方案2024/11/20
功率半導(dǎo)體應(yīng)用現(xiàn)狀隨著新能源汽車800V高壓快充技術(shù)的興起，SiC憑借其高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率以及高鍵合能等一系列顯著優(yōu)勢(shì)，成為功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競(jìng)相追逐的“風(fēng)口”。在實(shí)際應(yīng)用中，搭載碳...
smu數(shù)字源表與探針臺(tái)連接示意圖及注意事項(xiàng)有哪些？2024/10/30
1、前言在半導(dǎo)體和集成電路工藝中，材料、晶圓、芯片的測(cè)試是不可少的環(huán)節(jié)。隨著半導(dǎo)體測(cè)試技術(shù)的發(fā)展，數(shù)字源表SMU結(jié)合探針臺(tái)的系統(tǒng)組合已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于材料/微小器件的電學(xué)特性驗(yàn)證中。數(shù)字源表SMU具備源...
脈沖電流源測(cè)試旁路二極管熱性能方案2024/9/13
熱斑效應(yīng)：太陽能電池一般是由多塊電池組件串聯(lián)或并聯(lián)起來。串聯(lián)支路中可能由于電池片內(nèi)部缺陷或者外部遮擋，將被當(dāng)作負(fù)載消耗其他有光照的太陽電池組件所產(chǎn)生的能量。被遮蔽的太陽電池組件此時(shí)會(huì)嚴(yán)重發(fā)熱而受損。旁...
SiC/IGBT功率半導(dǎo)體器件應(yīng)用發(fā)展及其測(cè)試解決方案2024/8/23
SiC/IGBT功率器件應(yīng)用發(fā)展IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是電力控制和電力轉(zhuǎn)換的核心器件,是由BJT(雙極型晶體管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,具有高輸入...
納米材料高溫原位表征及測(cè)試方案2024/8/15
納米材料高溫原位表征及測(cè)試方案通過MEMS芯片在原位樣品臺(tái)內(nèi)對(duì)樣品構(gòu)建精細(xì)熱場(chǎng)自動(dòng)調(diào)通過MEMS芯片在原位樣品臺(tái)內(nèi)對(duì)樣品構(gòu)建精細(xì)熱場(chǎng)自動(dòng)調(diào)控及反饋測(cè)量系統(tǒng)，并結(jié)合TEM/SEM研究材料在不同熱場(chǎng)條件下...
基于數(shù)字源表的柔性材料形變測(cè)試方案2024/7/25
柔性材料使用過程中形態(tài)的反復(fù)變化將影響材料的電學(xué)性能及壽命。形變測(cè)試是柔性材料性能表征的重要手段。測(cè)試面臨的挑戰(zhàn)依賴手動(dòng)測(cè)試，缺乏標(biāo)準(zhǔn)化的測(cè)試系統(tǒng)缺少軟件,難以實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)I-V的變化曲線普賽斯提供標(biāo)準(zhǔn)化...
數(shù)字源表測(cè)試導(dǎo)電水凝膠方案2024/7/22
導(dǎo)電水凝膠將親水性基質(zhì)和導(dǎo)電介質(zhì)有機(jī)結(jié)合起來,是一類兼具良好的可加工性、較高柔韌性和優(yōu)異電化學(xué)性能的新型復(fù)合水凝膠，是未來柔性電子器件的理想材料。水凝膠電導(dǎo)率測(cè)試常用四探針法進(jìn)行測(cè)試，優(yōu)勢(shì)在于分離電流...
SMU源表搭建半導(dǎo)體霍爾效應(yīng)測(cè)試實(shí)驗(yàn)平臺(tái)2024/5/29
本科生微電子器件及材料實(shí)驗(yàn)?zāi)康耐ㄟ^實(shí)驗(yàn)動(dòng)手操作，加深對(duì)半導(dǎo)體物理理論知識(shí)的理解，掌握半導(dǎo)體材料和不同器件性能的表征方法及基本實(shí)驗(yàn)技能，培養(yǎng)分析問題和解決問題的能力。本科生微電子器件及材料實(shí)驗(yàn)?zāi)夸泴?shí)驗(yàn)一...
如何用源表測(cè)試IC芯片電性能2024/5/13
芯片測(cè)試作為芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、封裝、測(cè)試流程中的重要步驟，是使用特定儀器，通過對(duì)待測(cè)器件DUT(DeviceUnderTest)的檢測(cè)，區(qū)別缺陷、驗(yàn)證器件是否符合設(shè)計(jì)目標(biāo)、分離器件好壞的過程。其中直流參...
功率半導(dǎo)體測(cè)試挑戰(zhàn)及應(yīng)對(duì)方案詳解2024/5/10
功率半導(dǎo)體是電子產(chǎn)業(yè)鏈中最核心的一類器件，能夠?qū)崿F(xiàn)電能轉(zhuǎn)換和電路控制作用。功率半導(dǎo)體包括功率半導(dǎo)體分立器件(含模塊)以及功率IC等。其中，功率半導(dǎo)體分立器件按照器件結(jié)構(gòu)可分為二極管、晶閘管和晶體管等。...
如何用數(shù)字源表簡(jiǎn)化apd的暗電流測(cè)試2024/3/15
01APD工作原理APD雪崩光電二極管的工作原理是基于光電效應(yīng)和雪崩效應(yīng)，當(dāng)光子被吸收時(shí)，會(huì)產(chǎn)生電子空穴對(duì)，空穴向P區(qū)移動(dòng)，電子向N區(qū)移動(dòng)，由于電場(chǎng)的作用，電子與空穴相遇時(shí)會(huì)產(chǎn)生二次電子，形成雪崩效應(yīng)...
數(shù)字源表iv掃描測(cè)試納米材料電性能2024/3/8
01/納米材料電學(xué)性能的表征和分析/與傳統(tǒng)的材料相比，納米材料具有原子級(jí)厚度、表面平整無懸空鍵、載流子遷移率好等優(yōu)點(diǎn)，其導(dǎo)電性能很大程度依賴于材料本身的帶隙、摻雜濃度和載流子遷移率。同樣的摻雜濃度下，...
基于SMU數(shù)字源表的鈣鈦礦電池性能測(cè)試方案2024/1/24
1前言“碳達(dá)峰、碳中和”背景下，發(fā)展新能源成為降低碳排放的第一驅(qū)動(dòng)力。以太陽能為代表的清潔能源在市場(chǎng)上的占比大幅提升，與之對(duì)應(yīng)的太陽能電池同樣發(fā)展迅速。太陽能電池是一種吸收光能產(chǎn)生電能的半導(dǎo)體光電二極...
半導(dǎo)體電學(xué)特性測(cè)試系統(tǒng)—CV+IV測(cè)試儀2023/12/8
半導(dǎo)體電學(xué)特性測(cè)試系統(tǒng)—CV+IV測(cè)試儀概述：SPA-6100半導(dǎo)體參數(shù)分析儀是武漢普賽斯自主研發(fā)、精益打造的一款半導(dǎo)體電學(xué)特性測(cè)試系統(tǒng)，具有高精度、寬測(cè)量范圍、快速靈活、兼容性強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)。產(chǎn)品可以同時(shí)...
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