東芝推出48層3D堆疊式結構閃存，該閃存容量達到256Gb（32GB），同時采用了行業(yè)的三階存儲單元（TLC）技術。這款全新閃存適用于各種產品應用，包括消費級固態(tài)硬盤(SSD)、智能手機、平板電腦和內存卡以及面向數(shù)據(jù)中心的企業(yè)級SSD。據(jù)悉，樣品將于9月開始發(fā)貨。
　　
　　東芝BiCSFLASH™采用目前世界zui的48層堆疊工藝，超越主流2DNAND閃存的容量，同時提高了可寫入/擦除次數(shù)及可靠性，并提高了寫入速度。
　　
　　自2007年在推出了3D堆疊式結構閃存以來注3，東芝一直致力于優(yōu)化大批量生產的研發(fā)。為更好地滿足快速增長的閃存市場需求，東芝將瞄準大容量、小型化的應用領域，積極推動3D堆疊式結構閃存，推出SSD等產品組合。
　　
　　東芝于1987年在世界上zui早開發(fā)出NAND閃存，作為閃存世界的*，一直秉承專業(yè)的精神，為消費者提供高速、的專業(yè)閃存體驗