2018 04-16

英飛凌（Infenion）電動車IGBT模塊HybridPACK

英飛凌(Infenion)是功率半導體和汽車電子器件的主要供應商，在高功率半導體領域，英飛凌(Infenion)是整個電力能源供應鏈的創新者和供應商，包括從風能和太陽能逆變器等發電領域到輸電領域，再到...

2017 04-25

英飛凌IGBT命名規則

Simens/EUPECIGBT各型號中所指電流都是在Tc=80°C時的標稱，有些公司的IGBT是Tc＝25°C的標稱，敬請廣大用戶注意！BSM100GB120DN2KBSM-------------...

2016 08-04

三菱智能igbt模塊的詳細介紹

有著高科技技術,有著過硬的技術,本公司歡迎您.三菱智能igbt模塊采用第6代IGBT硅片技術，損耗低二極管采用第6代LPT硅片技術，正向導通壓降低硅片結溫可高達175°C硅片運行溫度zui高可達150...

2016 08-02

富士智能igbt模塊生產廠家

北京固力通達機電設備有限公司專業生產,歡迎您的到來.富士智能igbt模塊安裝在工業設備，如逆變器驅動電機，不間斷電源系統（UPS）等，以及功率調節的風力或太陽光發電設備，并且是在兼顧節能和穩定的電力供...

2016 07-14

IGBT的檢測方法

IGBT有三個電極，分別稱為柵極G（也叫控制極或門極）、集電極C（亦稱漏極）及發射極E（也稱源極）一、用指針式萬用表對場效應管進行判別（1）用測電阻法判別結型場效應管的電極根據場效應管的PN結正、反向...

2016 07-14

關于變頻器控制電機有漏電問題的解決方案

一、漏電問題產生的原因有的現場使用變頻器控制電機，會出現漏電問題，漏電電壓有幾十伏到二百伏電壓不等。針對這個問題，在這里特對此故障產生的原因進行理論的分析和說明如下。根據變頻器控制電機運行的功能框圖（...

2015 12-02

高壓IGBT變頻器的特點及應用

變頻器是利用電力半導體器件的通斷作用將工頻電源變換為另一頻率的電能控制裝置。隨著現代電力電子技術和微電子技術的迅猛發展，高壓大功率變頻調速裝置不斷地成熟起來，原來一直難于解決的高壓問題，近年來通過器件...

2015 06-03

在保管IGBT模塊時應注意的事項

在保管IGBT模塊時應注意的事項：1、在溫度發生急劇變化的場所IGBT模塊表面可能有結露水的現象，因此IGBT模塊應放在溫度變化較小的地方；2、一般保存IGBT模塊的場所，應保持常溫常濕狀態，不應偏離...

2015 06-03

西門子的發展及進入中國

近幾年西門子在工業,能源,醫療,城市基礎設施等領域世界。西門子是世界上zui大的電氣和電子公司之一，歷經150年來常盛不衰，其營業收入在2003年列財富500強第21位，在電子電氣類公司中更是名列。在...

2015 06-03

二極管的分類介紹

晶體二極管為一個由p型半導體和n型半導體形成的p-n結，在其界面處兩側形成空間電荷層，并建有自建電場。當不存在外加電壓時，由于p-n結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電...

2015 06-03

可控硅的特性種類介紹

一、可控硅的概念和結構？晶閘管又叫可控硅。自從20世紀50年代問世以來已經發展成了一個大的家族，它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導晶閘管、可關斷晶閘管、快速晶閘管，等等。今天大家使...

2015 06-03

IGBT模塊真假貨識別

工具：指針萬用表、電容表、放大鏡、天那水、耐壓儀一、查看外觀1）看激光噴碼字體清晰度（真貨字體清晰）；2）用手摸字體表面有凹凸感覺（真貨同人民幣一樣有凹凸感）；3）用放大鏡看表面會有打磨的痕跡（真貨是...

2015 06-03

IGBT模塊的作用 IGBT模塊簡介

IGBT模塊簡介IGBT是InsulatedGateBipolarTransistor(絕緣柵雙極型晶體管)的縮寫，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸...

2015 06-03

IGBT模塊簡介

IGBT模塊簡介IGBT是InsulatedGateBipolarTransistor（絕緣柵雙極型晶體管）的縮寫，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸...

2014 10-22

電源模塊的特點作用相關知識科普

隨著工業的發展科技的進步，電力在生產生活中的應用越發廣泛，電源模塊也因此順應時勢產生并迅速發展起來，在生活當中，電源模塊應用于我們身邊的很多電器產品之中，但是很多人并不十分了解什么是電源模塊。那么電源...

2014 08-08

IGBT模塊工作原理及其注意事項

IGBT模塊簡介IGBT是InsulatedGateBipolarTransistor(絕緣柵雙極型晶體管)的縮寫，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸...

2014 07-16

基于EXB841的IGBT 驅動電路優化設計

GBT是一種由雙極晶體管與MOSFET組合的器件，既具有MOSFET的柵極電壓控制快速開關特性，又具有雙極晶體管大電流處理能力和低飽和壓降的特點，作為高功率大電流的電能變換功率開關器件得到了廣泛的應用...

2014 07-16

IGBT

IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOS...

2014 06-07

怎么用數字式萬用表測量igbt模塊的好壞

1、判斷好壞將萬用表撥在R×10KQ檔，用黑表筆接IGBT的集電極（C），紅表筆接IGBT的發時極(E)，此時萬用表的指針在零位。用手指同時觸及一下柵極（G）和集電極（C），這時工GBT被觸發導通，萬...

2012 10-31

IGBT技術_系統分析IGBT的應用在不間斷電源中的作用

IGBT技術_系統分析IGBT的應用在不間斷電源中的作用絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）是一種MOSFET與雙極晶體管復合的器件。據東芝公司資料，1200V/100A的IGBT的導通電阻是同一耐壓規格的...