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近日，第三屆硬核中國(guó)芯領(lǐng)袖峰會(huì)暨汽車芯片技術(shù)創(chuàng)新與應(yīng)用論壇在線上舉行，比亞迪半導(dǎo)體功率半導(dǎo)體產(chǎn)品中心高級(jí)市場(chǎng)經(jīng)理孫允帥，出席本次線上云峰會(huì)并發(fā)表主題為《車規(guī)IGBT技術(shù)的最新進(jìn)展》演講。
孫允帥表示，2018年，比亞迪半導(dǎo)體發(fā)布車規(guī)級(jí)領(lǐng)域具有標(biāo)桿性意義的IGBT4.0技術(shù)，IGBT4.0芯片通過(guò)精細(xì)化平面柵設(shè)計(jì)，使得同等工況下，綜合損耗較市場(chǎng)主流產(chǎn)品降低了約20%，整車電耗顯著降低。
他透露，目前比亞迪半導(dǎo)體基于高密度Trench FS的IGBT 5.0技術(shù)已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，IGBT5.0(Trecnch FS IGBT)采用了微溝槽結(jié)構(gòu)及復(fù)合場(chǎng)中止技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了超低的導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗，并且由于經(jīng)過(guò)極致調(diào)教的復(fù)合場(chǎng)終止技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了軟關(guān)斷。
同時(shí)，公司正在積極布局新一代 IGBT 技術(shù)，致力于進(jìn)一步提高 IGBT 芯片的電流密度，提升功率半導(dǎo)體的可靠性，降低產(chǎn)品成本，提高應(yīng)用系統(tǒng)的整體功率密度。
未來(lái)，比亞迪半導(dǎo)體IGBT芯片將在核心技術(shù)、制造工藝及結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)等方面不斷尋求創(chuàng)新突破。
關(guān)于下一代功率器件的核心Sic，他表示，比亞迪半導(dǎo)體SiC車用功率模塊，具有Pin-fin直接水冷結(jié)構(gòu)，結(jié)構(gòu)十分緊湊，僅一個(gè)手掌大小，輸出功率250KW，優(yōu)良的性能使其在新能源汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)上帶來(lái)明顯的效率提升，并使電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制器體積減小60%以上。
“后期，比亞迪半導(dǎo)體將往超小型雙面燒結(jié)SiC發(fā)展，其具有應(yīng)用靈活、散熱效率高等優(yōu)勢(shì)。目前有關(guān)產(chǎn)品在研中，預(yù)期實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品革新的又一跨越。”孫允帥表示。
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